SOI CMOS技术及其应用

ISBN: 9787030159687

作者: 黄如/张国艳/李映雪/张兴

出版社: 科学出版社

出版年: 2005-10

页数: 383

定价: 48.0

装帧: 平装

内容简介

本书从材料、器件、工艺和电路角度系统地介绍SOI CMOS技术。全书共分8章，从SOI材料的主要制备技术以及表征技术开始，详细分析和阐述SOI MOS器件的主要基本特性和物理效应，包括浮体效应、短沟效应、窄沟效应、边缘效应、热载流子效应、自加热效应以及器件的瞬态特性、噪声特性和抗辐射特性等；然后从定量分析的角度介绍器件的理论模型；介绍SOI CMOS工艺制备技术以及一些很有潜力的新型SOI器件；最后重点介绍SOI CMOS电路应用，包括SOI微处理器电路、数模混合信号电路、射频集成电路、存储器电路以及高温高压SOI电路等。本书取材新颖，涵盖了SOI CMOS技术的基本知识和最新进展。

本书可作为微电子专业的研究生和高年级本科生以及专业技术人员的重要参考书，也可以作为信息领域其他专业的学生和相关科研人员、工程技术人员的重要参考资料。

作者简介

黄如，女，教授，博士生导师。北京大学信息科学技术学院副院长，微电子学研究院院长 研究方向： SOI技术；纳米尺度半导体新结构逻辑和存储器件；模型模拟及射频相关技术等

2006年获国家杰出青年科学家基金，2008年获聘长江学者特聘教授；现为《中国科学》副主编、信息产业科技发展“十一五”计划和2020年中长期规划编制专家组专家；中国电子学会半导体与集成技术分会委员会委员；专业国际核心期刊”IEEE Transactions on Electron Devices”的editor。

现主要从事新结构、新工艺器件研究以及射频电路相关技术研究。主持了国家973课题、863课题、国家杰出青年基金项目、国家自然基金重点项目和面上项目、电子预研等多项国家项目。

在纳米尺度新结构器件、新工艺技术、器件可靠性、射频元器件及相关电路技术等方面取得了若干创新成果，提出了面向不同应用和不同集成电路技术代的新型准SOI 器件、垂直双栅器件、BOI FinFET结构、基于传统微电子加工方法的围栅纳米线器件、VDNROM和DDFG闪存器件等新器件技术；主持研究了DTV射频调谐器和RF ID相关技术的开发。

已合作出版著作4本，发表论文200余篇。获得26项授权发明专利，获专利申请号的发明专利22项。

曾获北京市科学技术发明一等奖、教育部科技进步一等奖、中国青年科技奖、教育部霍英东青年教师研究奖、中国青年女科学家提名奖、教育部新世纪优秀人才计划等部委级奖励。

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